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元件参数资料
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参数目录42259
> RQ1A070ZPTR MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
型号:
RQ1A070ZPTR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
RQ1A070ZPTR PDF
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫欧 @ 7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
58nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
7400pF @ 6V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
TSMT8
包装
带卷 (TR)
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